Chip di memoria promettente da IBM
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Questo prototipo di memoria “phase-change” (memoria a cambiamento di fase) è 500 volte più veloce di una memoria flash, e consuma la metà dell’energia necessaria per scrivere le informazioni in una cella. La sezione del dispositivo ha dimensioni minuscole, di 3 per 20 nanometri, molto più piccola delle flash di oggi, e ha già dimensioni equivalenti ai futuri chip industriali previsti per il 2015. Il nuovo materiale è un semiconduttore composto da una lega complessa, per la quale è stata richiesto un brevetto. IBM è la società che deposita ogni anno più brevetti al mondo.
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